目标将次世代半导体（芯片）国产化的日本Rapidus、东京大学将和法国半导体研究机构Leti携手研发1纳米（nm）芯片技术，已签署考虑合作的备忘录。
日经新闻16日报道，日本芯片制造商Rapidus、东京大学将和Leti携手研发1nm等级芯片设计的基础技术，将在2024年正式展开人才交流、技术共享，目标活用Leti的半导体元件技术，建构提升自动驾驶、人工智能（AI）性能所不可或缺的1nm芯片产品供应体制。
据报道，Rapidus、东大等日本国立大学以及理化学研究所参与的研究机构最先进半导体技术中心（LSTC）和Leti已在10月签订考虑合作的备忘录。 LSTC和Leti的目标是确立1.4nm-1nm芯片研发所必要的基础技术。
报道指出，在2nm芯片的量产上，Rapidus正和美国IBM、比利时半导体研发机构imec合作，且也考虑在1nm等级产品上和IBM进行合作。 预计在2030年代以后普及的1nm产品运算性能将较2nm提高1-2成。
美国麦肯锡指出，全球半导体市场规模预估将在2030年之前达到1兆美元、将较2021年的约6,000亿美元大增约7成。 台积电、三星电子将在2025年量产2nm，而Rapidus位于北海道千岁市的2nm晶片研发/生产据点千岁工厂IIM-1（第1栋厂房）已于9月动工，试产产线计划在2025年4月启用、2027年开始进行量产。
产经新闻、时事通信社10月25日报道，Rapidus会长东哲郎25日在东京都举行的内外情势调查会上发表演说，关于Rapidus计划在2027年量产2nm芯片的计划，东哲郎指出，非常有信心能够做到。 东哲郎并指出，除了计划量产的2nm芯片外，也考虑研发1nm芯片。
时事通信社10月24日报道，关于正在北海道千岁市兴建的新工厂，Rapidus会长东哲郎24日接受专访表示，今后也打算兴建第2、第3座工厂，且也会盖在北海道千岁市。
关于和可能变成竞争对手的台积电、英特尔等海外企业的关系，东哲郎指出，不是竞争、而是互补关系。 东哲郎表示，在AI技术发展下、次世代半导体需求看增，将可在各自擅长的领域上互补客户多样的需求。
Rapidus设立于2022年8月，由丰田、索尼、NTT、NEC、软银、Denso、NAND Flash大厂铠侠、三菱UFJ等8家日企共同出资设立。
