目标将次世代半导体（芯片）国产化、由日本官民合作设立的半导体研发/制造/销售公司Rapidus正在北海道打造2纳米（nm）晶片工厂、目标2027年量产，而据悉Rapidus决定在2024年底导入EUV（极紫外光）微影设备，且将派员至荷兰半导体设备业龙头ASML、学习EUV技术。
日本新闻网站Newswitch 5日引述日刊工业新闻的报道指出，Rapidus已决定将在2024年年底、在兴建中的北海道千岁市2nm工厂内导入EUV微影设备，且Rapidus预期将可在2023年内确保约300名员工，而雇用的约100名工程师将派遣至合作伙伴IBM、ASML，学习EUV微影设备技术。
ASML为全球最大的微影设备厂商，也是全球唯一一家可生产EUV微影设备的业者，而EUV是量产5-7nm以下最先进芯片所必须的技术，在日本，美光预计2025年以后启用的广岛新厂也将导入，而Rapidus在2022年8月设立以来、就和ASML建立合作关系，ASML也计划在千岁市设立技术支持据点。
据报导，Rapidus目标在2027年量产2nm以下最先进逻辑芯片，位于千岁市的第一座工厂IIM-1已在9月动工，试产产线计划在2025年4月启用、2027年开始进行量产，而Rapidus目标在正式量产前、确保约1,000名员工。
Rapidus 11月17日宣布，将和加拿大AI芯片新创公司Tenstorrent进行合作、加速AI芯片的研发。 Rapidus社长小池淳义11月17日表示，期待Tenstorrent成为该公司的第一家客户。 日媒指出，Rapidus将藉由合作、携手Tenstorrent研发AI芯片，且将来也计划帮Tenstorrent代工芯片、加深彼此的关系。
小池淳义7月接受日媒专访表示，正在美国寻找伙伴，已和美国科技巨头GAFAM中的部分企业展开芯片供应协商。 具体来说、数据中心有需求。 目前能生产他们想要的芯片的公司只有台积电（2330）、而Rapidus将进入。
Rapidus携手法机构研发1纳米芯片技术
日媒11月16日报道，Rapidus、东京大学将和法国半导体研究机构Leti携手研发1nm等级芯片设计的基础技术，将在2024年正式展开人才交流、技术共享，目标活用Leti的半导体元件技术，建构提升自动驾驶、AI性能所不可或缺的1nm芯片产品供应体制。
据报道，Rapidus、东大等日本国立大学以及理化学研究所参与的研究机构最先进半导体技术中心（LSTC）和Leti已在10月签订考虑合作的备忘录。 LSTC和Leti的目标是确立1.4nm-1nm芯片研发所必要的基础技术。
