三星电子在上周的年度投资人论坛，揭开新策略的关键字为GDP：环绕闸极晶体管（GAA）架构、DRAM及封装。
综合韩国经济日报与韩国每日经济新闻英文版网站Pulse News报道，三星电子在投资人论坛上表示，明年将发布低延迟带宽（LLW）DRAM内存芯片，作为旗舰的下一代芯片，通过增加半导体电路的输入/输出（I/O）端子数量，提高数据处理速度与效能，能改善人工智能（AI）应用的电力效率，比一般DRAM芯片提高70%。 这款芯片将嵌入延展实境头戴装置等AI设备。
三星电子表示，打算开发其他内存芯片新品，包括LPDDR5X，号称传输速度为每秒9.6 GB，每秒带宽76.8 GB。 三星电子也将开发UFS 4.0 4-Lane，被视为装有AI模型的智能手机核心零组件。
三星电子明年也将发布一项先进的3D芯片封装技术，包括最先进的3.5D封装，借由在高带宽记忆体（HBM）芯片垂直堆栈中央处理器（CPU）和绘图处理器（GPU）等芯片，提高电子装置的速度和数据处理能力。
三星电子也将进一步精进3纳米芯片制程技术，以更适合AI应用。 三星晶圆代工部门副总裁Jeong Ki-bong宣示，将每两年提高内存芯片效能2.2倍。 三星电子也计划开发一款4纳米加速器芯片。
此外，三星电子也计划把自家开发的AI模型Samsung Gauss，整合到下一代旗舰智能手机Galaxy S24内。
三星电子目前正与美国特斯拉合作，为Level-5全自驾车辆开发下一代全自驾（FSD）芯片。 三星电子最近已延揽曾在Alphabet旗下Waymo自驾车部门担任设计主管的YoonJung Ahn，出任执行副总裁，领导设计管理中心。
