全球最大的存储芯片制造商三星电子成立了一个业务部门，负责开发下一代芯片处理技术，该公司的目标是在人工智能（AI）芯片领域处于领先地位。
业内消息人士周三表示，三星最近成立了该部门，以开发新技术，以保持领先于其竞争对手，包括晶圆代工领导者台积电（TSMC），在芯片加工方面处于领先地位。
消息人士称，新部门将由周三晋升为总裁的副总裁级研究员Hyun Sang-jin领导。
Hyun 在三星半导体工艺节点的技术进步和先进 3 纳米芯片的大规模生产中发挥了关键作用。
他们表示，该部门将隶属于三星设备解决方案（DS）部门的芯片研究中心，该部门负责监督其半导体业务。
“三星希望开发新技术，使其在未来十年或二十年内领先于竞争对手，”其中一位人士说。
三星希望开发出被视为改变游戏规则的技术——类似于其去年推出的全能门（GAA）技术。
GAA架构是下一代晶圆代工微纳加工工艺，是改善静电性能的关键技术，可转化为更高的性能、更低的功耗和优化的芯片设计。
三星表示，与之前的处理节点相比，3纳米GAA技术的性能提升了30%，能耗降低了50%，芯片面积减少了45%。
GAA技术与台积电和其他使用鳍片场效应晶体管（FinFET）工艺的晶圆代工公司竞争。由于它的结构类似于鱼的背鳍，因此也称为鳍晶体管。
尽管三星是排名第一的存储芯片制造商，但就市场份额而言，它在代工或合同芯片制造领域远远落后于台积电。
台积电、三星和英特尔等领先的芯片制造商正在激烈竞争先进封装，以提高芯片性能，而不必通过超精细加工来缩小纳米，这在技术上具有挑战性，需要更多时间。
本月，有消息人士称，三星计划明年推出先进的三维（3D）芯片封装技术，以更好地与竞争对手竞争。
消息人士称，这项名为SAINT或三星高级互连技术的技术将以更小的尺寸集成高性能芯片（包括AI芯片）所需的内存和处理器。
新部门的推出是三星推动在人工智能芯片领域领先的一部分，据Gartner预测，到2027年，人工智能芯片市场将从今年的534亿美元增长到1194亿美元。
然而，三星在高带宽存储器（HBM）和双倍数据速率DDR5等先进存储芯片市场上落后于同城竞争对手SK海力士股份有限公司。
HBM是一种高容量、高性能的半导体芯片，由于它被用于为ChatGPT、高性能数据中心和机器学习平台等生成性人工智能设备供电，对它的需求正在飙升。
行业官员表示，随着三星的业务重点从存储芯片扩展到代工和芯片设计，其对更先进芯片工艺技术的投资资源，包括才华横溢的研究人员，已经分散。
