半导体硅智财厂商力旺与联电今日共同宣布，力旺的可变电阻式内存（RRAM）硅智财已通过联电22纳米超低功耗的可靠度验证，为联电的AIoT与行动通讯应用平台提供更多元的嵌入式内存解决方案，未来双方也将持续合作开发车用规格的RRAM。
力旺提供的8Mb RRAM IP具有额外的16Kb信息存储区块和内部修复与错误检测/修正等关键功能，可用于IoT设备中的微控制器和智能电源管理IC的编码储存，还可以支持人工智能之内存内运算架构。 联电提供22纳米的0.8V/2.5V RRAM平台，使用较少的光罩层数、较短的生产周期和更容易与BCD、高压等特殊制程整合的优势。
力旺电子技术长暨第二事业群总经理林庆源表示，对40奈米、22奈米和高阶制程而言，RRAM是不可或缺的多次编程嵌入式内存选项。 力旺的下一个RRAM开发目标是对应汽车应用需求，在22纳米 0.8V/2.5V 平台实现更高的存储密度（16Mb）、更快的速度、更高的写入温度耐受度和持续提升的覆写能力。 此外，继续推进在0.8V/1.8V ULP上的开发。 凭借其用于读取和写入模式的低工作电压，力旺的RRAM将成为主流技术平台上最具成本效益的eFlash解决方案，并可扩展至更多制程节点。
联电技术开发部副总经理徐世杰表示，随着AIoT应用不断地拓展，市场对低功耗非挥发性内存的需求逐渐增加。 力旺的IP成功的在联电22纳米RRAM平台完成验证，为客户在开发下一代产品时提供更强大的内存解决方案。 联电致力于提供多元和差异化的特殊制程技术，未来将与力旺合作，持续强化AIoT与车用市场的嵌入式内存方案。
