韩媒BusinessKorea今日报道，iPhone 15 Pro 系列全球热卖中，但却遭封“火龙果”，因其手机芯片 A17 Pro 芯片过热而陷入争议，韩媒引述一些业内人士说法称，台积电的生产过程可能有问题，但一些测试机构与科技达人拆解后称，iPhone 新机采钛合金导热系数偏低，牺牲散热能力。
多位中国果粉实际测试，iPhone 15 Pro系列使用A17 Pro芯片功耗相当大，而iPhone15 Pro Max却在测试进行到第16分钟时，不但机身温度飙升，甚至出现48.1度的高温，录影时还出现卡顿情况，被外界称为“火龙果”。
台积电第一代3纳米产品有缺陷？
法人分析，从数据来看A17 Pro芯片采台积3纳米制程确实提升了效能，但续航力不如iPhone 14 Pro Max，整体评价约和采台积4纳米的高通骁龙8 Gen 2相当而引发外界议论纷纷。
过热通常表示设计缺陷或制造过程中的问题，例如未能控制电源泄漏，韩媒引述一些业内人士谨慎地表示，台积电的生产过程可能有问题，有些人认为传统的鳍式场效晶体管 （FinFET） 方法在小型化方面已达到极限。
FinFET于2011年推出，提供了良好的通道三面控制，一直是4纳米芯片设计的主要技术。 台积电被称为FinFET方法的大师，一直处于行业领先地位，然而，到了3纳米领域，使用FinFET方法控制电流变得具有挑战性。
韩媒指出，更令人担忧的是，如果台积电第一代3纳米产品有缺陷，那么基于相同技术的后续制程也可能出现问题，台积电N3技术将有四种衍生制造工艺⸺N3E、N3P、N3S和N3X。
不过，测试机构与科技达人近期拆解后称，iPhone 15 系列散热设计未修改，加上钛合金导热系数偏低 （系统中的热并不易散失），尽管手机重量减轻，但却牺牲散热能力。
三星有望抢3nm订单？
韩媒指出，有分析师担心，如果对台积电3纳米制程产量的疑虑持续存在，主要客户可能会同时采用或转向三星。
此前，三星电子在5纳米制程上遇到挑战，在随后的5纳米和类似的4纳米制程也接连遭遇挫折，导致Galaxy S22搭载的芯片出现过热问题。 因此，高通等主要客户转向了台积电。 因此，台积电上季与三星电子的市占率差距拉大50.3个百分点以上。
三星为求力挽狂澜，抢先将闸极环绕式（GAA） 结构引入 3 纳米工艺， 这提供更精细的电流控制，降低功耗，提高了约 10% 的效能效率。
Hi Investment &Securities指出，三星3纳米制程良率估计超过60%，台积电目前的3纳米制程良率则为55%。
台积电将转换到 2 纳米的 GAA 技术
10纳米芯片时代开始以来，FinFET制程一直是半导体产业的主流技术。 但是FinFET制程在半导体微型化方面有其局限性，台积电相信2纳米是导入纳米层片GAA架构晶体管的合适制程。
台积电2纳米正在进行研发，预定2025年量产，近期台积电新竹宝山2纳米晶圆厂建设计划放缓，放量时间恐延至2026年。 对此，台积电已澄清，目前厂区建设依规划进度进行中。
