德国博世宣布计划收购美国芯片制造商TSI Semiconductors，并在未来几年内投资15亿美元，以满足全球对芯片不断增长的需求，特别是在汽车和电子领域。
“通过收购TSI Semiconductors，我们正在一个重要的销售市场建立碳化硅（SiC）芯片的制造能力，同时也在全球范围内增加我们的半导体制造，”博世管理董事会主席Stefan Hartung在声明中表示。
两家公司均未披露收购成本或条款。
与其他半导体相比，碳化硅半导体可以在更高的温度、电压和频率下工作，使其在太阳能设备、电动汽车、航空航天应用和 5G 等其他应用中使用效率更高。
TSI Semiconductors的半导体工厂位于加利福尼亚州罗斯维尔，拥有约250名员工，主要开发和生产大量200毫米硅晶圆芯片，用于移动、电信、能源和生命科学行业的应用。
两家公司表示，收购完成后，博世打算在罗斯维尔工厂投资超过15亿美元，为生产SiC芯片做好准备，并补充说，该工厂将在2026年始生产其首批SiC芯片，该芯片基于经过重组阶段的200毫米晶圆。
“罗斯维尔现有的洁净室设施和专家人员将使我们能够更大规模地制造用于电动汽车的SiC芯片，”Hartung说，并补充说罗斯维尔提供大约10，000平方米的洁净室空间。
