高通目前的旗舰芯片 Snapdragon 8 Elite 甚至还没有尘埃落定，但关于其继任者的谣言已经流传开来。由于切换到 Oryon 内核，Snapdragon 8 Elite 的性能比其前身有了显着提升。现在，新的泄漏表明高通可能会在 Snapdragon 8 Elite 2 上实现更高的目标。
根据爆料者 Jukanlosreve 援引韩国消息人士的话，骁龙 8 Elite 2 和联发科即将推出的天玑 9500 都可能在 Geekbench 6 上达到4000 分左右的单核分数。
就上下文而言，骁龙 8 Elite 目前在同一基准测试中得分约为 3200。因此，如果泄漏恰好属实，那么 8 Elite 25 的性能将提高 2%——这是一个可靠的升级，特别是考虑到 8 Elite 已经令人印象深刻的性能。
然而，高通有平衡原始性能和热管理的历史，8 Elite 也不例外。虽然它在速度方面突破了极限，但由于它的 4.32 GHz 时钟速度，它也往往比其前辈运行得更热。
因此，8 Elite 2 的一个关键问题是高通将如何在控制温度的同时管理这些预期的性能提升。
早些时候的谣言表明，骁龙 8 Elite 2 可能由台积电和三星共同生产，但 Jukanlosreve 的另一次泄密声称，台积电将成为高通即将推出的旗舰 SoC 的唯一制造商。
据说台积电的 N3P 工艺比 8 Elite 中使用的 N3 节点提供了更高的性能和更好的能效。这些改进是否会缓解性能跳跃可能带来的热问题仍不确定。
现在还处于早期阶段，这些只是泄漏。由于当前一代产品在市场上仍然很新鲜，因此可能需要一段时间才能出现更具体的细节。
